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SI4840DY

产品描述MOSFET 40V 14A 3.1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4840DY概述

MOSFET 40V 14A 3.1W

SI4840DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SO-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.009 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.56 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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Si4840DY
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
40
R
DS(on)
(Ω)
0.009 at V
GS
= 10 V
0.012 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
14
12
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• 100 % R
g
Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SO-8
D
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
S
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Ordering Information:
Si4840DY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4840DY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Avalanche Energy (Single Pulse)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.8
3.1
2.0
- 55 to 150
14
11
50
30
45
1.4
1.56
1.0
mJ
A
W
°C
10 s
40
± 20
10
8
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
33
65
17
Maximum
40
80
21
°C/W
Unit
Document Number: 71188
S09-0869-Rev. E, 18-May-09
www.vishay.com
1

SI4840DY相似产品对比

SI4840DY SI4840DY-T1 SI4840DY-T1-E3
描述 MOSFET 40V 14A 3.1W MOSFET 40V 14A 3.1W MOSFET 40V 14A 3.1W
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 10 A 10 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.56 W 1.56 W 1.56 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
包装说明 SO-8 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
最小漏源击穿电压 40 V - 40 V
最大漏极电流 (ID) 10 A - 10 A
最大漏源导通电阻 0.009 Ω - 0.009 Ω
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
元件数量 1 - 1
端子数量 8 - 8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
Is Samacsys - N N
Base Number Matches - 1 1

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