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BSS169 L6327: 产品描述MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小492KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BSS169 L6327概述

MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-23-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	90 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	12 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2.9 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Qg - Gate Charge	2.8 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	360 mW
Channel Mode	Depletion
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Reel
高度 Height	1.1 mm
长度 Length	2.9 mm
产品 Product	MOSFET Small Signal
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	SIPMOS Small Signal Transistor
宽度 Width	1.3 mm
Forward Transconductance - Min	0.1 S
Fall Time	27 ns
Rise Time	2.7 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	2.9 ns
单位重量 Unit Weight	0.000282 oz

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W