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IPD12CN10NGATMA1

产品描述MOSFET MV POWER MOS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小838KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPD12CN10NGATMA1概述

MOSFET MV POWER MOS

IPD12CN10NGATMA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time26 weeks
Is SamacsysN
其他特性FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)154 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)67 A
最大漏源导通电阻0.0124 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)268 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IPD12CN10NGATMA1相似产品对比

IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10N G
描述 MOSFET MV POWER MOS MOSFET N-Ch 100V 67A DPAK-2 OptiMOS 2
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
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