MOSFET MV POWER MOS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Factory Lead Time | 26 weeks |
Is Samacsys | N |
其他特性 | FAST SWITCHING |
雪崩能效等级(Eas) | 154 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 67 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0124 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252AA |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 268 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IPD12CN10NGATMA1 | IPD12CN10N G | |
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描述 | MOSFET MV POWER MOS | MOSFET N-Ch 100V 67A DPAK-2 OptiMOS 2 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
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