电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SQS420EN-T1_GE3

产品描述MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共13页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SQS420EN-T1_GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SQS420EN-T1_GE3 - - 点击查看 点击购买

SQS420EN-T1_GE3概述

MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

SQS420EN-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
雪崩能效等级(Eas)5 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XDSO-C5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 815  826  958  1035  1607 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved