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IRF3706STRLPBF

产品描述MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小348KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF3706STRLPBF在线购买

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IRF3706STRLPBF概述

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC

IRF3706STRLPBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-263-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current77 A
Rds On - Drain-Source Resistance10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage12 V
Qg - Gate Charge23 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
88 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
4.4 mm
长度
Length
10 mm
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
Smps MOSFET
宽度
Width
9.25 mm
Fall Time4.8 ns
Rise Time87 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3200
Typical Turn-Off Delay Time17 ns
Typical Turn-On Delay Time6.8 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz

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PD - 93936C
SMPS MOSFET
Applications
l
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
IRF3706
IRF3706S
IRF3706L
HEXFET
®
Power MOSFET
V
DSS
20V
R
DS(on)
max
8.5mΩ
I
D
77A†
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
l
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3706
D
2
Pak
IRF3706S
TO-262
IRF3706L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Max.
20
± 12
77
54
280
88
44
0.59
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
h
e
P
D
@T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
e
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
T
J
,T
STG
I
D
@ T
C
= 100°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
I
DM
c
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θcs
R
θJA
R
θJA
Junction-to-Case
i
Typ.
Max.
1.7
–––
62
40
Units
°C/W
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
fi
f
–––
0.50
–––
–––
Junction-to-Ambient( PCB mount)
gi
Notes

through
‡
are on page 11
www.irf.com
1
12/9/04

IRF3706STRLPBF相似产品对比

IRF3706STRLPBF IRF3706PBF
描述 MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 23nC
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
RoHS Details Details
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-263-3 TO-220-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V 20 V
Id - Continuous Drain Current 77 A 77 A
Rds On - Drain-Source Resistance 10.5 mOhms 10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V 12 V
Qg - Gate Charge 23 nC 23 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C + 175 C
Configuration Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
88 W 88 W
Channel Mode Enhancement Enhancement
高度
Height
4.4 mm 15.65 mm
长度
Length
10 mm 10 mm
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
类型
Type
Smps MOSFET Smps MOSFET
宽度
Width
9.25 mm 4.4 mm
Fall Time 4.8 ns 4.8 ns
Rise Time 87 ns 87 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3200 3000
Typical Turn-Off Delay Time 17 ns 17 ns
Typical Turn-On Delay Time 6.8 ns 6.8 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz 0.211644 oz
系列
Packaging
Reel Tube
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