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FDG6301N_Q

产品描述MOSFET SC70-6 N-CH 25V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小98KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDG6301N_Q概述

MOSFET SC70-6 N-CH 25V

FDG6301N_Q规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSN
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SC-70-6
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage25 V
Id - Continuous Drain Current220 mA
Rds On - Drain-Source Resistance4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationDual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
300 mW
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.1 mm
长度
Length
2 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type2 N-Channel
类型
Type
MOSFET
宽度
Width
1.25 mm
Forward Transconductance - Min0.2 S
Fall Time4.5 ns
Rise Time4.5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
15000
Typical Turn-Off Delay Time4 ns
Typical Turn-On Delay Time5 ns
单位重量
Unit Weight
0.000988 oz

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