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IXFK120N20P

产品描述MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共5页
制造商IXYS
标准
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IXFK120N20P在线购买

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IXFK120N20P概述

MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds

IXFK120N20P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-264AA
包装说明TO-264, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)2000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)120 A
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.022 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-264AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)714 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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