电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI1307DL-T1-GE3

产品描述MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

SI1307DL-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI1307DL-T1-GE3 - - 点击查看 点击购买

SI1307DL-T1-GE3概述

MOSFET

SI1307DL-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)0.85 A
最大漏源导通电阻0.29 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Si1307DL
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 12
R
DS(on)
(Ω)
0.290 at V
GS
= - 4.5 V
0.435 at V
GS
= - 2.5 V
0.580 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
± 0.91
± 0.74
± 0.64
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs: 1.8 V Rated
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-323
SC-70 (3-LEADS)
G
1
LC
D
XX
YY
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
3
S
2
Top
View
Ordering Information:
Si1307DL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1307DL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 0.28
0.34
0.22
- 55 to 150
± 0.91
± 0.72
±3
- 0.24
0.29
0.19
W
°C
5s
- 12
±8
± 0.85
± 0.68
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
315
360
285
Maximum
375
430
340
°C/W
Unit
Document Number: 71077
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
www.vishay.com
1
TI杯报告大全1,2(国内首次提供)
TI杯报告大全1,2(国内首次提供) 192718192719192720 192721192722 ...
qwqwqw2088 电子竞赛
宽频带超声探头的宽频带是指的什么
在查阅文献时看到很多说宽频带探头的意思是指探头有一个很宽的频带范围,带宽宽,余震小。那这个很宽的频带范围是指给探头激励信号的时候能给的频率范围很宽还是指的是接收信号的-6dB带宽很宽? ......
tjuamaoyang 医疗电子
现在的arm类的soc非常强大,有fpuv4.0有neon有isp,video engine;那dsp还有什么市场
现在的很多arm类的soc有 像全志a80和瑞芯微的rk3288 ,三星猎户座系列 的arm核有fpu v4.0还要neon协处理器 还有video engine 还有isp 可以直接进行双精度浮点数运算还有图像处理,视频编解码处 ......
oyhprince DSP 与 ARM 处理器
迎春节,MICROCHIP开发板68元特惠价包邮!
新年新气象,新年新花样,EEWORLD推出“迎春节,MICROCHIP 特惠购”促销活动! 原价:306元,团购价:214元,2015年新年促销价只要68元!{:1_102:} 185728 >>MCP19111评估板资料集锦 ......
maylove 电源技术
ad8357自激振荡严重
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:31 编辑 如题,我按照datesheet上搭的电路自激振荡非常严重 ...
jch793155 电子竞赛

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1611  277  2836  2677  2777  35  11  28  2  6 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved