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IPW60R099P6

产品描述MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共18页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPW60R099P6概述

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
PG-TO-247-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current37.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance99 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Qg - Gate Charge70 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
278 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
21.1 mm
长度
Length
16.13 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
5.21 mm
Fall Time5 ns
Rise Time10 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
240
Typical Turn-Off Delay Time50 ns
Typical Turn-On Delay Time20 ns
单位重量
Unit Weight
1.340411 oz
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