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BF421ZL1G

产品描述Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BF421ZL1G概述

Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP

BF421ZL1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
制造商包装代码CASE 029-11
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.83 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
Base Number Matches1

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BF421, BF423
High Voltage Transistors
PNP Silicon
Features
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector
−Emitter
Voltage
Collector
−Base
Voltage
Emitter
−Base
Voltage
Collector Current
Continuous
Collector Current
Peak
Total Device Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
BF421
−300
−300
BF423
−250
−250
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mA
mW
mW/°C
°C
3
BASE
Symbol
R
qJA
R
qJL
Max
150
68
Unit
°C/W
°C/W
12
http://onsemi.com
−5.0
−500
100
830
6.6
−55
to +150
1
TO−92
CASE 29
STYLE 14
2
3
STRAIGHT LEAD
BULK PACK
3
BENT LEAD
TAPE & REEL
AMMO PACK
COLLECTOR
2
MARKING
DIAGRAM
BF
42x
AYWW
G
G
T
J
, T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Thermal Resistance,
Junction−to−Lead
1
EMITTER
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Mounted on a FR4 board with 200 mm
2
of 1 oz copper and lead length of
5 mm.
BF42x = Device Code
x = 1 or 3
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
BF421ZL1G
BF423G
BF423ZL1G
Package
TO−92
(Pb−Free)
TO−92
(Pb−Free)
TO−92
(Pb−Free)
Shipping
2000/Ammo Pack
5000 Units/Box
2000/Ammo Pack
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
July, 2010
Rev. 5
1
Publication Order Number:
BF421/D

BF421ZL1G相似产品对比

BF421ZL1G 222205879471 BF423
描述 Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 100 V, 470 uF, THROUGH HOLE MOUNT, ROHS COMPLIANT Bipolar Transistors - BJT 500mA 250V PNP
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 , CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e1 e3 e0
端子数量 3 2 3
最高工作温度 150 °C 105 °C 150 °C
封装形状 ROUND CYLINDRICAL PACKAGE ROUND
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-92 - TO-92
针数 3 - 3
制造商包装代码 CASE 029-11 - 29-11
Is Samacsys N - N
最大集电极电流 (IC) 0.05 A - 0.05 A
集电极-发射极最大电压 300 V - 250 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 - 50
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
元件数量 1 - 1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 240
极性/信道类型 PNP - PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.83 W - 0.8 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 30
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 60 MHz - 60 MHz
Base Number Matches 1 - 1
是否无铅 - 不含铅 含铅

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