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MRF652S

产品描述RF Bipolar Transistors RF Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF652S概述

RF Bipolar Transistors RF Transistor

MRF652S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
基于收集器的最大容量15 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.025 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MRF652S
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF652S
is Designed for
UHF large signal, amplifier
Applications in FM equipment up to
512 MHz.
PACKAGE STYLE .280 4L PILL
A
FEATURES:
Common Emitter
P
G
= 10 dB at 5.0 W/512 MHz
Omnigold™
Metalization System
E
C
ØB
B
E
ØC
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CER
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
2.0 A
36 V
16 V
4.0 V
25 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
200 °C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
.275 / 6.99
.004 / 0.10
.050 / 1.27
.118 / 3.00
MINIMUM
inches / mm
D
E
F
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.230 / 5.84
1.055 / 26.80
.285 / 7.24
.006 / 0.15
.060 . 1.52
.130 / 3.30
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
CBO
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 25 mA
I
C
= 25 mA
I
C
= 25 mA
I
E
= 5.0 mA
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 15 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
16
36
36
4.0
1.0
UNITS
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 200 mA
f = 1.0 MHz
P
OUT
= 5.0 W
f = 512 MHz
10
9.5
10
60
11
65
150
15
V
CC
= 12.5 V
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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