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IRF7904PBF

产品描述MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小255KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF7904PBF概述

MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX

IRF7904PBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current11 A
Rds On - Drain-Source Resistance13 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge14 nC
ConfigurationDual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1.4 W
系列
Packaging
Tube
高度
Height
1.75 mm
长度
Length
4.9 mm
Transistor Type2 N-Channel
宽度
Width
3.9 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
95
单位重量
Unit Weight
0.019048 oz

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PD - 96919B
IRF7904PbF
HEXFET
®
Power MOSFET
Applications
l
Dual SO-8 MOSFET for POL
Converters in Notebook Computers, Servers,
Graphics Cards, Game Consoles
and Set-Top Box
V
DSS
30V
Q1 16.2m
:
@V
GS
= 10V
Q2 10.8m
:
@V
GS
= 10V
R
DS(on)
max
I
D
7.6A
11A
Benefits
l
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
l
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l
20V V
GS
Max. Gate Rating
l
Improved Body Diode Reverse Recovery
l
100% Tested for R
G
l
Lead-Free
B





9
T ÃÃ9!
T ÃÃ9!
T ÃÃ9!
SO-8
T!

T!

B!

Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
7.6
6.1
61
1.4
0.9
0.011
-55 to + 150
Q1 Max.
30
± 20
Q2 Max.
Units
V
11
8.9
89
2.0
1.3
0.016
W/°C
°C
W
A
c
Thermal Resistance
R
θJL
R
θJA
Parameter
Junction-to-Drain Lead
g
Junction-to-Ambient
fg
Q1 Max.
20
90
Q2 Max.
20
62.5
Units
°C/W
www.irf.com
1
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