Instrumentation Amplifiers LOW-NOISE PRECISION INST
| 参数名称 | 属性值 |
| Source Url Status Check Date | 2013-05-01 14:56:52.566 |
| Brand Name | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
| 针数 | 18 |
| 制造商包装代码 | Q-18 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.57 MHz |
| 最小共模抑制比 | 80 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.001 µA |
| 最大输入失调电压 | 80 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 最大非线性 | 0.005% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 4.5 V/us |
| 最大压摆率 | 4.8 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
| 最大电压增益 | 10000 |
| 最小电压增益 | 0.1 |
| 标称电压增益 | 10000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AMP01AX | AMP01FX | |
|---|---|---|
| 描述 | Instrumentation Amplifiers LOW-NOISE PRECISION INST | Instrumentation Amplifiers High Current Output High Precision |
| Source Url Status Check Date | 2013-05-01 14:56:52.566 | 2013-05-01 14:56:52.584 |
| Brand Name | Analog Devices Inc | Analog Devices Inc |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP18,.3 | DIP, DIP18,.3 |
| 针数 | 18 | 18 |
| 制造商包装代码 | Q-18 | Q-18 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.01 µA | 0.015 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.57 MHz | 0.57 MHz |
| 最小共模抑制比 | 80 dB | 75 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.001 µA | 0.002 µA |
| 最大输入失调电压 | 80 µV | 150 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T18 | R-GDIP-T18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 最大非线性 | 0.005% | 0.005% |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -25 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 4.5 V/us | 4.5 V/us |
| 最大压摆率 | 4.8 mA | 4.8 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益 | 10000 | 10000 |
| 最小电压增益 | 0.1 | 0.1 |
| 标称电压增益 | 10000 | 10000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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