Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFU1205PBF

IRFU1205PBF: 产品描述MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小391KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRFU1205PBF概述

MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC

IRFU1205PBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	37 A
最大漏极电流 (ID)	20 A
最大漏源导通电阻	0.027 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-251AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	160 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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PD - 95600A

IRFR/U1205PbF

•

Lead-Free

www.irf.com

12/9/04

IRFU1205PBF相似产品对比

	IRFU1205PBF	IRFR1205PBF
描述	MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC	MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ	210 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	37 A	35 A
最大漏极电流 (ID)	20 A	20 A
最大漏源导通电阻	0.027 Ω	0.027 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-251AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	69 W	69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	160 A	160 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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