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MJE2955T

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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MJE2955T概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

MJE2955T规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks 3 days
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
VCEsat-Max8 V
Base Number Matches1

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®
MJE2955T
MJE3055T
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The MJE3055T is a silicon Epitaxial-Base NPN
transistor in Jedec TO-220 package. It is
intended for power switching circuits and
general-purpose amplifiers. The complementary
PNP type is MJE2955T.
TO-220
3
1
2
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
NPN
PNP
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
MJE3055T
MJE2955T
60
70
5
10
6
75
-55 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
For PNP types voltage and current values are negative.
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