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SI5447DC-T1

产品描述MOSFET 20V 4.8A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI5447DC-T1概述

MOSFET 20V 4.8A 2.5W

SI5447DC-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
Base Number Matches1

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Si5447DC
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 20
R
DS(on)
(Ω)
0.076 at V
GS
= - 4.5 V
0.110 at V
GS
= - 2.5 V
0.160 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 4.8
- 4.0
- 3.3
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
TrenchFET
®
Power MOSFETs: 1.8 V Rated
1206-8 ChipFET
®
S
1
D
D
D
D
S
D
D
G
G
Marking Code
BG XX
Lot Traceability
and Date Code
Part #
Code
D
Bottom View
Ordering Information:
Si5447DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5447DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 2.1
2.5
1.3
- 55 to 150
260
- 4.8
- 3.5
- 15
- 1.1
1.3
0.7
W
°C
5s
- 20
±8
- 3.5
- 2.5
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
43
83
14
Maximum
50
95
20
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71256
S09-0129-Rev. C, 02-Feb-09
www.vishay.com
1

SI5447DC-T1相似产品对比

SI5447DC-T1 SI5447DC-T1-E3
描述 MOSFET 20V 4.8A 2.5W MOSFET 20V 4.8A 2.5W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.5 A 3.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W 2.5 W
Base Number Matches 1 1
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