SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Integrated Device Technology |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | CABGA |
| 包装说明 | BGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数 | 48 |
| 制造商包装代码 | BEG48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| Date Of Intro | 1998-03-01 |
| Samacsys Description | CHIP ARAY BGA 9.0 X 9.0 X MM X 0.75 PITC |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 3 V |
| 最大压摆率 | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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