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SI3445DV-T1-E3

产品描述MOSFET 8V 5.6A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小88KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI3445DV-T1-E3在线购买

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SI3445DV-T1-E3概述

MOSFET 8V 5.6A 2W

SI3445DV-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.6 A
最大漏极电流 (ID)5.6 A
最大漏源导通电阻0.042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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Si3445DV
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
−8
r
DS(on)
(W)
0.042 @ V
GS
=
−4.5
V
0.060 @ V
GS
=
−2.5
V
0.080 @ V
GS
=
−1.8
V
I
D
(A)
"5.6
"4.7
"2.9
TSOP-6
Top View
(4) S
1
3 mm
6
5
2
(3) G
3
4
2.85 mm
Ordering Information: Si3445DV-T1
Si3445DV-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
(1, 2, 5, 6) D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
Maximum Power Dissipation
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
−8
"8
"5.6
"4.5
"20
−1.7
2.0
1.3
−55
to 150
Unit
V
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction to Ambient
a
Junction-to-Ambient
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board.
b. t
v
5 sec.
t
v
5 sec
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
106
Maximum
62.5
Unit
_C/W
Document Number: 70820
S-50129—Rev. B, 24-Jan-05
www.vishay.com
1

SI3445DV-T1-E3相似产品对比

SI3445DV-T1-E3 SI3445DV-T1
描述 MOSFET 8V 5.6A 2W MOSFET 8V 5.6A 2W
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.6 A 5.6 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e3 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
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