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NLAS5123MUR2G

产品描述Analog Switch ICs ANA SPDT SWITCH
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小153KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NLAS5123MUR2G概述

Analog Switch ICs ANA SPDT SWITCH

NLAS5123MUR2G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DFN
包装说明VSON, SOLCC6,.04,16
针数6
制造商包装代码517AA
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
Samacsys DescriptionSPDT 1 Ohm RON Switch
模拟集成电路 - 其他类型SPDT
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e4
长度1.2 mm
湿度敏感等级1
信道数量1
功能数量1
端子数量6
标称断态隔离度62 dB
通态电阻匹配规范0.15 Ω
最大通态电阻 (Ron)1.7 Ω
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,16
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.55 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
最长断开时间25 ns
最长接通时间35 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.4 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度1 mm
Base Number Matches1

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NLAS5123
SPDT, 1
W
R
ON
Switch
The NLAS5123 is a low R
ON
SPDT analog switch. This device is
designed for low operating voltage, high current switching of speaker
output for cell phone applications. It can switch a balanced stereo
output. The NLAS5123 can handle a balanced microphone/
speaker/ringtone generator in a monophone mode. The device
contains a break−before−make (BBM) feature.
Features
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
WDFN6
MN SUFFIX
CASE 506AS
1
W = Specific Device Code
M = Date Code
G
= Pb−Free Device
WM
G
Single Supply Operation:
1.65 V to 5.5 V V
CC
Function Directly from LiON Battery
R
ON
Typical = 1.0
W
@ V
CC
= 4.5 V
Low Static Power
These are Pb−Free Devices
Typical Applications
Cell Phone Speaker/Microphone Switching
Ringtone−Chip/Amplifier Switching
Stereo Balanced (Push−Pull) Switching
Important Information
1
UDFN6
MU SUFFIX
CASE 517AA
X = Specific Device Code
M = Date Code
G
= Pb−Free Device
XM
G
Continuous Current Rating Through each Switch
±300
mA
1.2 x 1.0 x 0.4P mm 6−Lead Thin DFN Package
PIN ASSIGNMENTS
NO
1
6
IN
GND
2
5
V
CC
NC
3
4
COM
(Top View)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 8 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
November, 2010
Rev. 4
1
Publication Order Number:
NLAS5123/D

NLAS5123MUR2G相似产品对比

NLAS5123MUR2G NLAS5123MNR2G
描述 Analog Switch ICs ANA SPDT SWITCH Analog Switch ICs ANA SPDT SWITCH
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 DFN DFN
包装说明 VSON, SOLCC6,.04,16 VSON, SOLCC6,.04,16
针数 6 6
制造商包装代码 517AA 506AS
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 1 week 1 week
模拟集成电路 - 其他类型 SPDT SPDT
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 R-PDSO-N6
JESD-609代码 e4 e4
长度 1.2 mm 1.2 mm
湿度敏感等级 1 1
信道数量 1 1
功能数量 1 1
端子数量 6 6
标称断态隔离度 62 dB 62 dB
通态电阻匹配规范 0.15 Ω 0.15 Ω
最大通态电阻 (Ron) 1.7 Ω 1.7 Ω
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON VSON
封装等效代码 SOLCC6,.04,16 SOLCC6,.04,16
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 1.8/5 V 1.8/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.55 mm 0.8 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
表面贴装 YES YES
最长断开时间 25 ns 25 ns
最长接通时间 35 ns 35 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.4 mm 0.4 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 1 mm 1 mm
Base Number Matches 1 1
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