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BUL128D-B

产品描述Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BUL128D-B概述

Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar

BUL128D-B规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
Objectid1431711476
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
compound_id1579589
Samacsys DescriptionBUL128D-B, NPN Bipolar Transistor, 4 A 400 V HFE:10 Power, 3-Pin TO-220
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)12
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值70 W
最大功率耗散 (Abs)70 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
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