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74AUP1G332GN,132

产品描述Logic Gates OR 4.6 V 20 mA
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小788KB,共19页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G332GN,132概述

Logic Gates OR 4.6 V 20 mA

74AUP1G332GN,132规格参数

参数名称属性值
Source Url Status Check Date2013-06-14 00:00:00
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
零件包装代码SON
包装说明0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6
针数6
制造商包装代码SOT1115
Reach Compliance Codecompliant
Base Number Matches1

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74AUP1G332
Low-power 3-input OR-gate
Rev. 5 — 4 July 2012
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G332 provides a single 3-input OR gate.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
A
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74AUP1G332GN,132相似产品对比

74AUP1G332GN,132 74AUP1G332GM,115 74AUP1G332GF,132
描述 Logic Gates OR 4.6 V 20 mA Logic Gates 1.8V SINGLE LOW-POW Logic Gates 1.8V SINGLE LOW-POW
Brand Name NXP Semiconductor NXP Semiconductor NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SON SON SON
包装说明 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115, SON-6 1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-891, SON-6
针数 6 6 6
制造商包装代码 SOT1115 SOT886 SOT891
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
系列 - AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 - R-PDSO-N6 S-PDSO-N6
JESD-609代码 - e3 e3
长度 - 1.45 mm 1 mm
负载电容(CL) - 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 - OR GATE OR GATE
最大I(ol) - 0.0017 A 0.0017 A
湿度敏感等级 - 1 1
功能数量 - 1 1
输入次数 - 3 3
端子数量 - 6 6
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - VSON VSON
封装等效代码 - SOLCC6,.04,20 SOLCC6,.04,14
封装形状 - RECTANGULAR SQUARE
封装形式 - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法 - TAPE AND REEL TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260
电源 - 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup - 18.7 ns 18.7 ns
传播延迟(tpd) - 18.7 ns 18.7 ns
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 - NO NO
座面最大高度 - 0.5 mm 0.5 mm
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) - 1.2 V 1.2 V
表面贴装 - YES YES
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子节距 - 0.5 mm 0.35 mm
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 30
宽度 - 1 mm 1 mm
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