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CPM2-1200-0080B

产品描述MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小373KB,共7页
制造商Cree(科瑞)
官网地址http://www.cree.com/
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CPM2-1200-0080B在线购买

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CPM2-1200-0080B概述

MOSFET

CPM2-1200-0080B规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Cree(科瑞)
产品种类
Product Category
MOSFET
技术
Technology
SiC
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
DIE
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage1200 V
Id - Continuous Drain Current31.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance80 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage- 10 V, + 25 V
Qg - Gate Charge49.2 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Transistor Type1 N-Channel
Forward Transconductance - Min9.8 S
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