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KSC2688YS: 产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小32KB，共4页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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KSC2688YS概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

KSC2688YS规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-126-3
Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V
Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum DC Collector Current	0.2 A
Gain Bandwidth Product fT	80 MHz
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Current Gain hFE Max	250
高度 Height	11 mm
长度 Length	8 mm
系列 Packaging	Bulk
宽度 Width	3.25 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min	40
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1250 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	250
单位重量 Unit Weight	0.026843 oz

KSC2688YS相似产品对比

	KSC2688YS	KSC2688YSTSSTU	KSC2688OSTU
描述	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details	Details	Details
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-126-3	TO-126-3	TO-126-3
Transistor Polarity	NPN	NPN	NPN
Configuration	Single	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V	300 V	300 V
Collector- Base Voltage VCBO	300 V	300 V	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	5 V	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V	1.5 V	1.5 V
Maximum DC Collector Current	0.2 A	0.2 A	0.2 A
Gain Bandwidth Product fT	80 MHz	80 MHz	80 MHz
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C
DC Current Gain hFE Max	250	250	250
高度 Height	11 mm	11 mm	11 mm
长度 Length	8 mm	8 mm	8 mm
系列 Packaging	Bulk	Tube	Tube
宽度 Width	3.25 mm	3.25 mm	3.25 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	40	40
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1250 mW	1.25 W	1.25 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	250	60	60
单位重量 Unit Weight	0.026843 oz	0.026843 oz	0.026843 oz
Continuous Collector Current	-	0.2 A	0.2 A

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