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1N5306

产品描述Current Regulator Diodes 2.2mA Curr Reg
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小328KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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1N5306概述

Current Regulator Diodes 2.2mA Curr Reg

1N5306规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
最小动态阻抗370000 Ω
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大限制电压1.95 V
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
标称调节电流 (Ireg)2.2 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术FIELD EFFECT
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5306-20
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SILICON
CURRENT LIMITING DIODE
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5306-20 is a
silicon field effect current regulator diode designed for
applications requiring a constant current over a wide
voltage range. These devices are manufactured in the
cost effective DO-35 double plug case which provides
many benefits to the user, including space savings and
improved thermal characteristics.
DO-35 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TL=75°C)
Peak Operating Voltage
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
Regulator
Current
(Note 1)
IP @ VT=25V
MIN
mA
1.76
NOM
mA
2.20
MAX
mA
2.64
Minimum
Dynamic
Impedance
ZT @ VT=25V
MARKING CODE: C5306-20
SYMBOL
POV
PD
TJ, Tstg
100
600
-65 to +200
UNITS
V
mW
°C
Minimum
Knee
Impedance
ZK @ VK=6.0V
Maximum
Limiting
Voltage
VL @ IL=0.8 x IP MIN
V
0.370
0.052
1.95
Note 1: Pulsed Method: Pulse Width = 12.5ms
R0 (21-December 2015)
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