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IS41LV16100B-60TLI-TR

产品描述DRAM 16M 1Mx16 60ns
产品类别存储   
文件大小173KB,共22页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS41LV16100B-60TLI-TR在线购买

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IS41LV16100B-60TLI-TR概述

DRAM 16M 1Mx16 60ns

IS41LV16100B-60TLI-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
DRAM
RoHSDetails
类型
Type
EDO DRAM
Data Bus Width16 bit
Organization1 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-44
Memory Size16 Mbit
Access Time60 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
3 V
Supply Current - Max170 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.05 mm
长度
Length
21.05 mm
宽度
Width
10.26 mm
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
Moisture SensitiveYes
工作电源电压
Operating Supply Voltage
3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000

 
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