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1N4005

产品描述Rectifiers Vr/600V Io/1A T/R
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小309KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N4005概述

Rectifiers Vr/600V Io/1A T/R

1N4005规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N4001 thru 1N4007
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, Low VF
- High current capability
- High reliability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Silicon Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL (DO-41)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
0.33g (approximately)
DO-204AL (DO-41)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
ed
1N
1N
1N
100
70
100
200
200
400
280
400
1
30
3.7
1.0
5
50
10
6
15
65
- 55 to +150
- 55 to +150
140
nd
50
35
50
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
1N
1N
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
μA
pF
O
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
tR
Maximum reverse current @ Rated VR T
J
=25
T
J
=125℃
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance
No
eco
V
F
I
R
Cj
R
θjC
R
θjL
R
θjA
T
J
T
STG
mm
e
C/W
O
O
Operating junction temperature range
Storage temperature range
C
C
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1405004
Version: H14

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