MOSFET 20V 5.2A Complementary
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | LEAD FREE, CASE 751-07, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | 751-07 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.043 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NTMD2C02R2G | NTMD2C02R2SG | NTMD2C02R2 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 20V 5.2A Complementary | MOSFET COMP20V 2A .043R TR | MOSFET 20V 5.2A |
| 零件包装代码 | SOT | SOT | SOT |
| 包装说明 | LEAD FREE, CASE 751-07, SOIC-8 | LEAD FREE, CASE 751-07, SOIC-8 | CASE 751-07, SOIC-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| 制造商包装代码 | 751-07 | CASE 751-07 | CASE 751-07 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.2 A | 5.2 A | 5.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.2 A | 5.2 A | 5.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.043 Ω | 0.043 Ω | 0.043 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 240 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | 48 A | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | - |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 不符合 |
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