IRFSL7762PBF,IRFSL7762PBF pdf中文资料,IRFSL7762PBF引脚图,IRFSL7762PBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRFSL7762PBF: 产品描述MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小598KB，共12页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRFSL7762PBF在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IRFSL7762PBF	-	-	点击查看	点击购买

MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-262-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	75 V
Id - Continuous Drain Current	85 A
Rds On - Drain-Source Resistance	5.6 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.1 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Qg - Gate Charge	85 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	140 W
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
高度 Height	9.45 mm
长度 Length	10.2 mm
Transistor Type	1 N-Channel
宽度 Width	4.5 mm
Forward Transconductance - Min	180 S
Fall Time	40 ns
Rise Time	49 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	50
Typical Turn-Off Delay Time	57 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns
单位重量 Unit Weight	0.073511 oz

	IRFSL7762PBF	IRFS7762PBF
描述	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET	MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190