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MRF517

产品描述RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小451KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MRF517概述

RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor

MRF517规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4000 MHz

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF517
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor
Gpe = 10 dB (typ) @ 60 mA, 300 MHz
3 GHz Current-Gain Bandwidth Product @ 60mA
Broadband Noise Figure = 7.5 dB @ 50mA, 300 MHz
1. Emitter
2. Base
3. Collector
TO-39
DESCRIPTION:
The MRF517 is a silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment.
Applications include low noise broadband amplifier; pre-driver, driver, and output stages.
25°
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
20
35
3.0
150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ T
A
= 25ºC
Derate above 25ºC
2.5
0.02
Watts
mW/ ºC
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
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