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7200L12JG: 产品描述FIFO 256 X 9 CMOS PARALLEL FIF; 产品类别存储存储; 文件大小97KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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FIFO 256 X 9 CMOS PARALLEL FIF

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	PLCC
包装说明	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数	32
制造商包装代码	PLG32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	12 ns
其他特性	RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz
周期时间	20 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.97 mm
内存密度	2304 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	32
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X9
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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