SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 8 Asynch SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 6 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| AS6C1016-55BIN | AS6C1016-55ZIN | |
|---|---|---|
| 描述 | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 8 Asynch SRAM | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA | TSOP2 |
| 包装说明 | TFBGA, BGA48,6X8,30 | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
| 针数 | 48 | 44 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 55 ns | 55 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PDSO-G44 |
| 长度 | 8 mm | 18.415 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 48 | 44 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX16 | 64KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TSOP2 |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 3/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00002 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.06 mA | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 宽度 | 6 mm | 10.16 mm |
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