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PDTC114TT,235

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-11
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小186KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PDTC114TT,235概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-11

PDTC114TT,235规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码TO-236
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
制造商包装代码SOT23
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PDTC114TT,235相似产品对比

PDTC114TT,235 PDTC114TT,215
描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-11 Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7
Brand Name NXP Semiconductor NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 TO-236 TO-236
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3
制造商包装代码 SOT23 SOT23
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 200 200
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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