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1N4448WS-HE3-08

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N4448WS-HE3-08概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM

1N4448WS-HE3-08规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.72 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.35 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.2 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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1N4448WS
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Small Signal Fast Switching Diode
FEATURES
• Silicon epitaxial planar diode
• Fast switching diodes
• AEC-Q101 qualified available
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial
grade
• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
DESIGN SUPPORT TOOLS
click logo to get started
Models
Available
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-323
Weight:
approx. 4.3 mg
Packaging codes / options:
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
PARTS TABLE
PART
1N4448WS
ORDERING CODE
1N4448WS-E3-08 or 1N4448WS-E3-18
1N4448WS-HE3-08 or 1N4448WS-HE3-18
CIRCUIT CONFIGURATION
Single
TYPE MARKING
A3
REMARKS
Tape and reel
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified current half wave rectification
with resistive load
(1)
Surge forward current
Power dissipation
(1)
TEST CONDITION
SYMBOL
V
R
V
RRM
VALUE
75
100
150
350
200
UNIT
V
V
mA
mA
mW
f
50 Hz
t < 1 s and T
j
= 25 °C
I
F(AV)
I
FSM
P
tot
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Thermal resistance junction to ambient air
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
Note
(1)
Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
(1)
TEST CONDITION
SYMBOL
R
thJA
T
j
T
stg
T
op
VALUE
650
150
-65 to +150
-55 to +150
UNIT
K/W
°C
°C
°C
Rev. 1.5, 07-Jul-17
Document Number: 81387
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

1N4448WS-HE3-08相似产品对比

1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-G3-08 1N4448WS-HE3-18 CSC12A01114GPA
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 110000ohm, 100V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e3 e3 e3 e0
端子数量 2 2 2 12
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SIP
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
包装说明 ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 GREEN PACKAGE-2 R-PDSO-G2 -
针数 2 2 2 -
Factory Lead Time 10 weeks 10 weeks 10 weeks -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 -
湿度敏感等级 1 1 1 -
元件数量 1 1 1 -
最大输出电流 0.15 A 0.15 A 0.15 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 -
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W -
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V -
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs -
表面贴装 YES YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 -

 
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