HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED PACKAGE
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压 | 75 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 100 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.00165 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X14 |
| 元件数量 | 6 |
| 端子数量 | 14 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 410 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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