Datasheet> 器件分类 > 无源元件> 电容器> C1206N470F1GPH

C1206N470F1GPH: 产品描述Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 47.0PF 100V; 产品类别无源元件电容器; 文件大小1MB，共10页; 制造商KEMET(基美); 官网地址http://www.kemet.com

下载文档详细参数全文预览

C1206N470F1GPH在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	C1206N470F1GPH	-	-	点击查看	点击购买

C1206N470F1GPH概述

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 47.0PF 100V

C1206N470F1GPH规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	, 1206
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
电容	0.000047 µF
电容器类型	CERAMIC CAPACITOR
介电材料	CERAMIC
高度	1.3 mm
JESD-609代码	e0
长度	3.2 mm
安装特点	SURFACE MOUNT
多层	Yes
负容差	1%
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装形状	RECTANGULAR PACKAGE
封装形式	SMT
包装方法	BULK
正容差	1%
额定（直流）电压（URdc）	100 V
参考标准	MIL-PRF-55681
尺寸代码	1206
表面贴装	YES
温度特性代码	BP
温度系数	30ppm/Cel ppm/°C
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状	WRAPAROUND
宽度	1.6 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681

CAPACITOR OUTLINE DRAWINGS

DIMENSIONS—MILLIMETERS AND (INCHES)

STYLE

KEMET

SIZE

CODE

MIN.

MAX.

CDR01

CDR02

CDR03

CDR04

CDR05

CDR06

CDR31

CDR32

CDR33

CDR34

CDR35

C0805

C1805

C1808

C1812

C1825

C2225

C0805

C1206

C1210

C1812

C1825

2.03 ±.38 (.080 ±.015)

4.57 ±.38 (.180 ±.015)

+.51

+.020

4.57

.180

–.38

–.015

5.72 ±.51 (.225 ±.020)

2.00 ±.20 (.078 ±.008)

3.20 ±.20 (.125 ±.008)

3.20 ±.25 (.125 ±.010)

4.50 ±.25 (.176 ±.010)

4.50 ±.30 (.176 ±.012)

(

)

1.27 ±.38 (.050 ±.015)

2.03 ±.38 (.080 ±.015)

3.18 ±.38 (.125 ±.015)

+.51

+.020

6.35

.250

–.38

–.015

6.35 ±.51 (.250 ±.020)

1.25 ±.20 (.049 ±.008)

1.60 ±.20 (.062 ±.008)

2.50 ±.25 (.098 ±.010)

3.20 ±.25 (.125 ±.010)

6.40 ±.30 (.250 ±.012)

.56 (.022)

.51 (.020)

1.40 (.055)

2.03 (.080)

1.30 (.051)

1.50 (.059)

.51 ± 0.25 (.020 ±.010)

.50 ± 0.20 (.020 ±.008)

.50 ± 0.25 (.020 ±.010)

.50 ± 0.30 (.020 ±.012)

(

)

Note:

For MIL-C55681 “S” Endmet, the length, width and thickness positive tolerances (including bandwidth) cited above are allowed to increase by the following

amounts:

Length

Width

Length

CDR01

0.51MM (.020)

0.38MM (.015)

CDR02-06

0.64MM (.025)

0.38MM (.015)

CDR31-35

0.60MM (.023)

0.30MM (.012)

MIL-PRF-55681 PART NUMBER ORDERING INFORMATION

CDR01

B P

101 B K

STYLE & SIZE CODE

STYLE

C — Ceramic

D — Dielectric, Fixed Chip

R — Established Reliability

FAILURE RATE LEVEL

(%/1000 hrs.)

TERMINATION FINISH

S — Solder Coated, Final

(SolderGuard I)

U — Base Metalization—

Barrier Metal—Solder

Coated

(SolderGuard I)

W — Base Metalization—

Barrier Metal—Tinned

Tin or (Tin/Lead Alloy)

SolderGuard II

Y — Base Metalization

Barrier Metal—Tinned

(100% Tin)

Solderguard II

RATED TEMPERATURE

–55°C to +125°C

DIELECTRICS

P —± 30 PPM/°C—WITH OR WITHOUT VOLTAGE

X —± 15%—without voltage

+ 15%, –25%—with voltage

CAPACITANCE

Expressed in picofarads (pF).

First 2 digits represent significant figures and the last digit specifies the number of zeros to follow.

(Use 9 for 1.0 through 9.9pF. Example: 2.2pF = 229)

CAPACITANCE TOLERANCE

±.1 pF ±.25 pF ±.5 pF ±1%

±5%

±10% ±20%

Z – Base metallization -

barrier metal-tinned (tin/lead

alloy, with a min. of 4% lead)

RATED VOLTAGE

A — 50; B — 100

KEMET/MIL-PRF-55681 PART NUMBER EQUIVALENTS

C 0805

P 101 K

1 G M

CERAMIC

SIZE CODE

See Table Above

END METALIZATION

L — 70Sn/30Pb Plated (Military codes Z,W,U )

C— 100% Tin Plated (Military code Y)

H – Sn60 Coated (Military code S)

SPECIFICATION

P -MIL-PRF-55681 = CDR01-CDR06

N-MIL-PRF-55681 = CDR31-CDR35

FAILURE RATE

(%/1,000 hrs.)

R — 0.01

S — 0.001

M — 1.0

P — 0.1

CAPACITANCE CODE

Expressed in picofarads (pF).

First two digits represent significant figures.

Third digit specifies number of zeros. (Use 9

for 1.0 thru 9.9 pF. Example: 2.2 pF –229)

VOLTAGE TEMPERATURE CHARACTERISTIC

Designated by Capacitance

Change Over Temperature Range

G — BP (C0G/NP0) (±30 PPM/°C)

X — BX (±15% Without Voltage

+15% -25% With Voltage)

CAPACITANCE TOLERANCE

.1 pF

.25 pF

.5 pF

10%

20%

VOLTAGE

1 — 100V, 5 — 50V

Part Number Example: C0805P101K1GML

(14 digits - no spaces)

Ceramic Surface Mount

M — 1.0

P — 0.1

R — 0.01

S — 0.001

推荐资源

论坛级别建议: 我们论坛级别全部来自威望，这有点不合理啊。我建议可以结合发贴量和威望以及芯币综合考虑。这样才能溵发大家的发贴热情。要不然论坛除了管理员，版主就是金砂了。...; laoguo 为我们提建议&公告

请求教vxworks的请求教几个问题: 1.在vmware上安装vxworks之前是不是要先安装好tornado2.2，再安装并建立虚拟机？ 2.vmware 6.5.1用起来更好还是6.0，或者5.0? 3.如果目标机是虚拟机，而且本机是x86cpu，则是否应选用torn ......; very008 实时操作系统RTOS

Jobs斯坦福大学毕业典礼演说: Jobs的2005年斯坦福大学毕业典礼演说辞中英对照本- - “只是想与大家分享一下，看看这个作为整个科技领域最好执行总裁之一的大人物，在一群充满才气的学生就要离校，面对‘真实世界之际，想要对 ......; hkn 聊聊、笑笑、闹闹

rsl10-sense-gevk板子的空气质量传感器有人用过吗？: 我的板子连接APP，测试空气质量不是0就是500变化，基本上没有过渡，温湿度传感器正常。 545077 ...; littleshrimp 物联网大赛方案集锦

液晶显示器出现白色横线问题: 液晶显示器中间有时出现一条白色线横贯页面，此区域将桌面图像分为上下两部分。是显示器质量问题还是什么？...; hilin029 嵌入式系统

IAR6.5链接出现长度超限错误？: 116091 如上图，在运行某些例程的时候会出现这种链接错误，不知何故？...; 喜鹊王子微控制器 MCU

诺基亚三星削减订单手机芯片全球遇冷

　　包括诺基亚、三星电子、LG等国际手机厂商正在偷偷的削减第三季度手机芯片的订单，除了高通和英飞凌依靠3G市场增加了订单外，包括联发科、德州仪器、恩智浦等手机芯片大厂订单都有所削减。　　来自台湾的媒体消息显示，有些手机芯片厂对外透露，到目前，客户下单情况仍不踊跃，甚至在调低九月份的订单，预计第三季度全球手机市场需求将出现不到5%的成长率。　　分析手机需求不旺的原因，手机芯片大厂对外透露，...[详细]
英特尔为iPhone供应芯片重返手机市场

　　据台湾《经济日报》报道，苹果iPhone 3G下一代产品将采用英特尔Atom处理器，预计于2009、2010年上市。　　3G版iPhone将于7月11日在22个国家和地区同步上市，由于其极具竞争力的价格，甚至在某些国家是零元手机，因此受到了消费者的广泛关注，同时也使诺基亚、三星等手机大厂倍感压力。　　据悉，3G iPhone目前采用的是三星处理器核心，但因英特尔Atom处理器具有省电...[详细]
消除多路复用DAC的输出错误

　　在某些应用(如数据记录器)中，具有多路复用模拟输出是非常理想的。当一次仅有单个输出有效时，电压输出DAC" 数模转换器 (DAC)和模拟多路复用器可以实现这个需求。你可以使用此类信号来激活桥路。还可能需要双极输出，但是你可能不愿意放弃哪怕是一比特的分辨率。　　要解决第一个问题，设计者通常实现多路复用器(图1a)。但是这种方法有一个严重缺点：输出准确度可能会由于多路复用器的内部阻抗而大大下降...[详细]
无线射频识别技术(RFID)

　　无线射频识别技术(RFID)作为本世纪最有发展前途的信息技术之一，已得到全球业界的高度重视；中国拥有产品门类最为齐全的装备制造业，又是全球IT产品最重要的生产加工基地和消费市场，同时还是世界第三大贸易国。这些都为中国电子标签产业与应用的发展提供了巨大的市场空间、带来了难得的发展机遇，RFID技术与电子标签应用必将成为中国信息产业发展和信息化建设的一个新机遇、成为国民经济新的增长点。　　未来...[详细]
SynQor超小病人全接触型医疗电源模块

　　SynQor推出超小的病人全接触型400W医疗电源模块，该电源模块的封装为3×5×1.44，功率密度高达18.3W/立方英寸，转换效率达91%。　　SynQor通过推出首款专门针对医疗应用而研制的AC/DC电源模块，使得公司的多元化战略持续成功地延伸至新的医疗领域。ACuQor模块系列实现了在3×5×1.44有限尺寸上提供400W的有用功率。SynQor可以提供48V，36V or 24V的...[详细]
天威视讯机顶盒的快乐与沉思

前言加速发展的中国有线电视数字化进程受到了强有力政策的支持，推动了中国数字有线机顶盒市场增长。据最新研究报告显示，2007年底，中国有线数字电视电视用户数量达到2,796万户，有线电视数字化程度达到24%；2008年1季度，中国有线数字电视用户数量已经达到3195.18万户，有线电视数字化程度达到31.96%。2008年2季度，根据各地区有线电视网络公司规划，中国有线数字电视新增用户770....[详细]
数字信号处理（DSP ）系统测试和调试1

　　在软件开发领域，最关键但也是最无法预料的阶段是调试阶段。在软件调试的过程中有很多要素都举足轻重，而其中最重要的则是时间。设置和调试软件所需的时间对于软件的上市时间以及是否满足客户期望都有着巨大的影响，同时还影响着一个在市场取得成功的优秀产品的销售业绩。一个应用的集成必须经过一个由构建、加载、调试/调谐到更改等多个阶段构成的过程，如图1 所示。　　　　　　　　　　　　　　　　图1：集成...[详细]
英特尔宣布完成首款无线WiMax芯片设计

　　英特尔近日宣布已经完成了首款移动WiMax芯片的设计，预计这一产品最早将于2008年出现在笔记本中。值得注意的是，英特尔计划将WiMax芯片同Wi-Fi整合在一起，打造一款名为“WiMax Connection 2300”的芯片组。　　首款WiMax芯片设计的完成，意味着英特尔距离创建一个完整移动WiMax平台的目标又近了一步。英特尔希望通过这一平台在更广阔的范围内为用户提供更快的无线互...[详细]
东盟应备战医疗新挑战

　　飞利浦医疗执行副总裁兼首席执行官Steve Rusckowski在越南河内举办的“第二届东盟地区医疗业研讨会”上呼吁东盟地区医疗领域更广泛的合作和投资，以应对该地区不断增长的医疗需求。在演讲中，Rusckowski先生指出，某些全球性问题如人口老龄化，慢性疾病发病率增高等以及一些区域性问题如基础设施以及训练有素的医护人员的缺乏等正在剥夺东盟地区人群享有高质量且价格合理的医疗服务的权利。 ...[详细]
心脏起搏器等植入医疗器械严禁重复使用

　　《济南市医疗器械使用管理若干规定》(征求意见稿)征求意见。　　骨科内固定器材、心脏起搏器等植入性医疗器械严禁重复使用；医疗器械使用单位购进医疗器械应当建立真实、完整的购进验收记录，保证产品的可追溯性。近日，《济南市医疗器械使用管理若干规定》(征求意见稿)公开面向社会征求意见，市民在7月25日前可通过网站或邮件的方式发表意见。　　根据《规定》，医疗器械使用单位应当从具有医疗器械生产、经...[详细]
下一代手机中的电源管理分割方案(附图解）

　　第三代(3G)手机可提供具有更多功能的各种特性。当消费者享用这些通信设备最新及更好功能的时候，他们还继续要求单个电池的工作时间更长、手机的外形尺寸更小。尽管IC集成可帮助解决尺寸问题，但同时也会增加设计复杂度并限制设计灵活性。当今的手机设计工程师必须考虑多种因素来有效地优化电池使用，以延长电池工作时间。因此，必须结合使用高度集成化的电源管理单元和高性能分立器件来进行电池管理、功率转换以及系统...[详细]
PXI射频模块仪表在手机生产测试上的应用

　　如今的手机生产测试面临越来越复杂的环境，一边是多种频段和多制式的挑战，一边是生产测试速度的压力，同时还面临测试成本的压力。确定手机射频参数和功能检验测试的合适的深度和广度是比较复杂的，它需要我们随着生产线的变化，产品本身的成熟度的提升不断寻找平衡点。射频校准在整个生产流程中，它是一个增加产品价值的步骤，它的测试要求直接与产品的设计有关。生产测试流程　　这里的生产测试不包括PCB（...[详细]
ADI与中国合作伙伴共推Blackfin开发工具

2008 年 07 月 23 日，亚德诺半导体公司（ Analog Devices, Inc ）与中国区合作伙伴共同宣布可向市场提供全系列的 Blackfin 本地开发工具。这些本地开发工具包括仿真器、开发板和软件模块，针对的处理器范围包括从 BF531 到最新的 BF52x 和 BF54x 的全系列 Blackfin 。作为世界领先的通用 DSP 处理器提供...[详细]
Intel未来微处理器和芯片组研究规划

Intel对未来的微处理器和芯片组的研究可以使用三个词来概括：功率、效率和移动性。 Intel在公司位于美国加州圣克拉拉的总部通过研究人员和各种原型向记者和分析人士展示了其未来的重大技术。 Intel展示的技术中包括其所谓的“第一个万亿级芯片原型”，是指万亿次浮点运算(teraflop)级别的芯片性能，即具有每秒处理万亿次数学运算的能力。 Intel的80核芯片...[详细]
ARM发展模式“芯”的方向

ARM开创的销售IP商业模式，其另一个更为长远的目标，可能就在于此，即建立一个统一标准的体系结构平台。 Intel采用“Intel Inside”的品牌行销策略，业已被广告业界誉为一个经典的案例，但每年数十亿美元的广告行销费用，同样让诸多效仿者大叹不如、望而却步。当然对于2003年营业额不到3亿美元的ARM来说这更不是一个明智地选择。但ARM自2002年便开始在全球推广Con...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多