IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 40 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 241 ns |
标称接通时间 (ton) | 31 ns |
Base Number Matches | 1 |
IKP20N60H3XKSA1 | IKB20N60H3ATMA1 | IKB20N60H3 | |
---|---|---|---|
描述 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | TO-220AB | D2PAK | D2PAK |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
针数 | 3 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 40 A | 40 A | 40 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V | 600 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AB | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 241 ns | 241 ns | 241 ns |
标称接通时间 (ton) | 31 ns | 31 ns | 31 ns |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
厂商名称 | - | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
外壳连接 | - | COLLECTOR | COLLECTOR |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved