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CMRDM3575 TR

产品描述MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小499KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMRDM3575 TR概述

MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW

CMRDM3575 TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-963
Number of Channels2 Channel
Transistor PolarityN-Channel, P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V, 20 V
Id - Continuous Drain Current160 mA, 140 mA
Rds On - Drain-Source Resistance1.5 Ohms, 4 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage400 mV, 1 V
Vgs - Gate-Source Voltage8 V, 8 V
Qg - Gate Charge458 pC, 500 pC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationDual
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
125 mW
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Transistor Type1 N-Channel, 1 P-Channel
Forward Transconductance - Min1.3 S, 140 mS
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
8000
Typical Turn-Off Delay Time85 ns, 100 ns
Typical Turn-On Delay Time25 ns, 35 ns
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