Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN 225mW
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Diodes Incorporated |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 120 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 180 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 140 MHz |
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