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1N3156UR-1

产品描述Zener Diodes Temperature Compensated
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N3156UR-1概述

Zener Diodes Temperature Compensated

1N3156UR-1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-213AA
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗15 Ω
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压8.4 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max0.168 mV/°C
最大电压容差4.76%
工作测试电流10 mA
Base Number Matches1

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• 1N3154UR-1 THRU 1N3157UR-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND JANS
PER MIL-PRF-19500/158
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
• 8.4 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE
• METALLURGICALLY BONDED, DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
1N3154UR-1
thru
1N3157UR-1
and
CDLL3154
thru
CDLL3157A
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
l
R
= 10
µ
A @ 25°C & V
R
= 5.5Vdc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
DIM
D
F
G
G1
S
CDI
TYPE
NUMBER
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
ZENER
TEST
CURRENT
I ZT
MAXIMUM
VOLTAGE
TEMPERATURE
EFFECTIVE
ZENER
TEMPERATURE
RANGE
TEMPERATURE
IMPEDANCE
STABILITY
COEFFICIENT
ZZT
³V ZT
MAXIMUM
(Note 1)
(Note 2)
mV
130
172
65
86
26
34
13
17
°C
-55 to +100
-55 to +150
-55 to +100
-55 to +150
-55 to +100
-55 to +150
-55 to +100
-55 to +150
% / °C
.01
.01
.005
.005
.002
.002
.001
.001
MILLIMETERS
INCHES
MIN MAX MIN MAX
1.60
1.70 0.063 0.067
0.41
0.55 0.016 0.022
3.30
3.70 .130 .146
2.54 REF.
.100 REF.
0.03 MIN.
.001 MIN.
VOLTS
CDLL3154
CDLL3154A
CDLL3155
CDLL3155A
CDLL3156
CDLL3156A
CDLL3157
CDLL3157A
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
8.00 - 8.80
mA
10
10
10
10
10
10
10
10
OHMS
15
15
15
15
15
15
15
15
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA, Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION:
Any.
NOTE 1
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c. current
equal to 10% of lZT.
The maximum allowable change observed over the entire temperature range
i.e., the diode voltage will not exceed the specified mV at any discrete
temperature between the established limits, per JEDEC standard No.5.
NOTE 2
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (978) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
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描述 Zener Diodes Temperature Compensated Zener Diodes Temperature Compensated
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi
零件包装代码 DO-213AA DO-213AA
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
针数 2 2
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE
最大动态阻抗 15 Ω 15 Ω
JEDEC-95代码 DO-213AA DO-213AA
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称参考电压 8.4 V 8.4 V
表面贴装 YES YES
技术 ZENER ZENER
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max 0.168 mV/°C 0.42 mV/°C
最大电压容差 4.76% 4.76%
工作测试电流 10 mA 10 mA
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