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BCW60A_D87Z

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小193KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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BCW60A_D87Z在线购买

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BCW60A_D87Z概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

BCW60A_D87Z规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max32 V
Collector- Base Voltage VCBO32 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.35 V
Maximum DC Collector Current0.1 A
Gain Bandwidth Product fT125 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max220
高度
Height
0.93 mm
长度
Length
2.92 mm
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
1.3 mm
Continuous Collector Current0.1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min120
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

BCW60A_D87Z相似产品对比

BCW60A_D87Z
描述 Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Product Attribute Attribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 32 V
Collector- Base Voltage VCBO 32 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.35 V
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Gain Bandwidth Product fT 125 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max 220
高度
Height
0.93 mm
长度
Length
2.92 mm
宽度
Width
1.3 mm
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 120
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz
系列
Packaging
Reel

 
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