MOSFET MOSFT 200V 13A 235mOhm 25nC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 130 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.235 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 52 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRFU13N20DPBF | IRFR13N20DTRLP | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET MOSFT 200V 13A 235mOhm 25nC | MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks | 15 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 130 mJ | 130 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A | 13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.235 Ω | 0.235 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-251AA | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 52 A | 52 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
模拟与混合信号
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