MOSFET TAPE13 PWR-MOS
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT404 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 462 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 35 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 140 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| PSMN070-200B,118 | |
|---|---|
| 描述 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| Brand Name | NXP Semiconductor |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT404 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 462 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 35 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 140 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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