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BSZ097N10NS5

产品描述MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSZ097N10NS5概述

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSZ097N10NS5规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PG-TSDSON-8
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current40 A
Rds On - Drain-Source Resistance13 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.2 V
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Qg - Gate Charge22 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
69 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.1 mm
长度
Length
3.3 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
3.3 mm
Forward Transconductance - Min23 S
Fall Time5 ns
Rise Time5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
5000
Typical Turn-Off Delay Time21 ns
Typical Turn-On Delay Time11 ns
单位重量
Unit Weight
0.001295 oz
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