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NTD23N03RT4

产品描述MOSFET 25V 23A N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTD23N03RT4概述

MOSFET 25V 23A N-Channel

NTD23N03RT4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明CASE 369AA-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 369AA-01
Reach Compliance Codenot_compliant
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.8 A
最大漏极电流 (ID)3.8 A
最大漏源导通电阻0.06 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)22.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NTD23N03RT4相似产品对比

NTD23N03RT4 NTD23N03RT4G
描述 MOSFET 25V 23A N-Channel MOSFET 25V 23A N-Channel
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 CASE 369AA-01, DPAK-3 LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3
针数 3 4
制造商包装代码 CASE 369AA-01 369AA
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V 25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.8 A 3.8 A
最大漏极电流 (ID) 3.8 A 3.8 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 22.3 W 22.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 40 A 40 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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