IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.7 Rds
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS |
| 零件包装代码 | TO-268AA |
| 包装说明 | D3PAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最大降落时间（tf） | 570 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-268AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 650 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 50 ns |
| IXGT60N60 | IXGK60N60 | |
|---|---|---|
| 描述 | IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.7 Rds | IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.7 Rds |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS | IXYS |
| 零件包装代码 | TO-268AA | TO-264AA |
| 包装说明 | D3PAK-3 | TO-264AA, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 其他特性 | ULTRA FAST | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 75 A | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V | 600 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最大降落时间（tf） | 570 ns | 570 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5 V | 5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-268AA | TO-264AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 | e1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W | 300 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 650 ns | 650 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 50 ns | 50 ns |
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