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C30T10Q

产品描述Schottky Barrier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB,共6页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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C30T10Q概述

Schottky Barrier Diode

C30T10Q规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.88 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流2000 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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