PIN Diodes
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
应用 | ATTENUATOR; SWITCHING |
最小击穿电压 | 800 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
最大二极管电容 | 1.2 pF |
标称二极管电容 | 1.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
最大二极管正向电阻 | 0.6 Ω |
二极管电阻测试电流 | 100 mA |
二极管电阻测试频率 | 100 MHz |
二极管类型 | PIN DIODE |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
少数载流子标称寿命 | 2 µs |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 1.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
反向测试电压 | 100 V |
表面贴装 | NO |
技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
UM7108B | UM7006B | UM7010CR | |
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描述 | PIN Diodes | PIN Diodes | PIN Diodes |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | compliant | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
应用 | ATTENUATOR; SWITCHING | ATTENUATOR; SWITCHING | ATTENUATOR; SWITCHING |
最小击穿电压 | 800 V | 600 V | 1000 V |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ANODE |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最大二极管电容 | 1.2 pF | 0.9 pF | 0.9 pF |
标称二极管电容 | 1.2 pF | 0.9 pF | 0.9 pF |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最大二极管正向电阻 | 0.6 Ω | 1 Ω | 1 Ω |
二极管电阻测试电流 | 100 mA | 100 mA | 100 mA |
二极管电阻测试频率 | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
二极管类型 | PIN DIODE | PIN DIODE | PIN DIODE |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-CUPM-N1 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
少数载流子标称寿命 | 2 µs | 2.5 µs | 2.5 µs |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 1 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS | GLASS | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 1.5 W | 1.5 W | 10 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
反向测试电压 | 100 V | 100 V | 100 V |
表面贴装 | NO | NO | NO |
技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | WIRE | NO LEAD |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | - | Microsemi | Microsemi |
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