MOSFET N-Chnl 200V
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.18 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.18 A |
最大漏源导通电阻 | 10 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 7 pF |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.7 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
ZVN2120A | ZVN2120ASTZ | |
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描述 | MOSFET N-Chnl 200V | MOSFET N-Chnl 200V |
零件包装代码 | TO-92 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.18 A | 0.18 A |
最大漏源导通电阻 | 10 Ω | 10 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | R-PSIP-W3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | RECTANGULAR |
封装形式 | CYLINDRICAL | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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