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ZVN2120A

产品描述MOSFET N-Chnl 200V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小81KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
标准
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ZVN2120A在线购买

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ZVN2120A概述

MOSFET N-Chnl 200V

ZVN2120A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.18 A
最大漏极电流 (ID)0.18 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)7 pF
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

ZVN2120A相似产品对比

ZVN2120A ZVN2120ASTZ
描述 MOSFET N-Chnl 200V MOSFET N-Chnl 200V
零件包装代码 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 0.18 A 0.18 A
最大漏源导通电阻 10 Ω 10 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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