Logic Gates GATE NAND
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SOT-353 |
包装说明 | TSSOP, TSSOP5/6,.08 |
针数 | 5 |
制造商包装代码 | 419A-02 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 4 weeks |
系列 | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 2 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.002 A |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
输入次数 | 2 |
端子数量 | 5 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP5/6,.08 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/6 V |
最大电源电流(ICC) | 0.04 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 35 ns |
传播延迟(tpd) | 155 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
筛选级别 | AEC-Q100 |
座面最大高度 | 1.1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 1.25 mm |
NLV74HC1G00DFT1G | NLVHC1G00DFT2G | |
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描述 | Logic Gates GATE NAND | Logic Gates LOG CMOS GATE NAND |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | TSSOP, TSSOP5/6,.08 | TSSOP, TSSOP5/6,.08 |
制造商包装代码 | 419A-02 | 419A-02 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
Factory Lead Time | 4 weeks | 20 weeks |
系列 | HC/UH | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 | R-PDSO-G5 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
长度 | 2 mm | 2 mm |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.002 A | 0.002 A |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 |
输入次数 | 2 | 2 |
端子数量 | 5 | 5 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP5/6,.08 | TSSOP5/6,.08 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法 | TR | TR |
最大电源电流(ICC) | 0.04 mA | 0.04 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 35 ns | 35 ns |
传播延迟(tpd) | 155 ns | 155 ns |
施密特触发器 | NO | NO |
筛选级别 | AEC-Q100 | AEC-Q100 |
座面最大高度 | 1.1 mm | 1.1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
宽度 | 1.25 mm | 1.25 mm |
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