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ZVP2110ASTZ

产品描述MOSFET P-Chnl 100V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小91KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
标准
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ZVP2110ASTZ概述

MOSFET P-Chnl 100V

ZVP2110ASTZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)0.23 A
最大漏源导通电阻8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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